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                        以标准CMOS工艺设计“透明”接口电路是可行的2019/4/23 21:23:50
                        至少对于上述集成式温度、风速和磁性的集成传感器的设计来说,以标准CMOS工艺设计“透明”接口电路是可行的。与电子电路相比,大部分传感器的运行速度很慢,这就意味着典型的电路非理想状态(如偏置、增益...[全文]
                        封装好的风速传感器必须进行校准和微调2019/4/23 21:03:40
                        由于制造工艺的误差,封装好的风速传感器必须进行校准和微调。这是因为通常来说芯片无法被完全精确地放置在陶瓷片的?#34892;?#20301;置,因此将导致热盘上的热点不会集中在传感器芯片上。其果将出现一个与气流相关的热偏...[全文]
                        电子元器件丧失规定的功能称为失效2019/4/22 20:55:18
                        改用低吸湿性树脂,提高树脂纯度,减少其中所含Na+、Cl等有害杂?#24335;?#20302;树脂的热膨胀系数,添加耦合剂,改变引线框架形状,以改善材料间黏合强度,防止引线框与树脂间界面进入水分。...[全文]
                        同样功耗下使用低压大电流比高压小电流要安全得多2019/4/20 19:46:55
                        AA2214SURSK-AMTS与偏压U。成正比,同样功耗下使用低压大电流比高压小电流要安全得多。分析上式的分母可知,当发射极等效的串联电阻(冬。+恚)比发射结动态电...[全文]
                        实际上MOS器件的退化是不均匀的2019/4/20 11:34:53
                        LAN8700IC-AEZG实际上MOS器件的退化是不均匀的,N沟道MOS管的退化主要发生在漏极附近的高电场区,对非均匀氯化层电荷和界面陷阱分布的沟道,阈值电压的物理...[全文]
                        利用苯环上给电子基团2019/4/18 20:41:35
                        K9F2G08UOB-PCBOWHuang等设计了一种简单、价廉而高产率合成的2,⒎二溴J杂芴的方法,如图5.58所示。利用苯环上给电子基团-甲氧基对苯环上其他取代位...[全文]
                        有机/无机杂化和纳?#20934;?#26415;是对材料改性的两大?#34892;?#25163;段2019/4/18 20:24:55
                        K8P3215UQB-PI4B有机/无机杂化和纳?#20934;?#26415;是对材料改性的两大?#34892;?#25163;段。通过有机/无机杂化可以在有机材料中引人无机材料所特有的优异物理性能,如硬度、强度、抗...[全文]
                        蓝光材料概况2019/4/17 21:26:04
                        KA-2735ESGS蓝光材料概况性能优良的蓝光对降低全彩显示器的功...[全文]
                        0LED功能材料的一般?#33455;?#26041;法2019/4/17 21:15:56
                        KA-2734SRSGC0LED功能材料的一般?#33455;?#26041;法有机电?#36335;?#20809;器件中含有多种功能材料,主要包括如图5.36所示的几种类型。对它们进行?#33455;?以期获得可...[全文]
                        OLED器件的工作机制是注人载流子后产生光发射2019/4/17 21:02:25
                        KA-2214ZGS>好坏用器件发光效率来衡量,共有三种表示方法:一是发射光量子数?#30002;?#20154;载流子数的百分比,称为量子效率,单位是%;二是输出光功率?#38469;?#20837;功率的百分比,称...[全文]
                        利用磷光一荧光组合机制产生WOLED的器件?#33455;?#33719;得了极大成功2019/4/17 20:33:48
                        KA-2214SESK近年来,利用磷光一荧光组合机制产生WOLED的器件?#33455;?#33719;得了极大成功。如图5,3z⑶所示,来自⒛“年S。R。FoⅡest科研组的Nature报道...[全文]
                        从主体材料三线态到掺杂磷光三线态的主要能量转移过程是Dexter型2019/4/16 22:25:09
                        HD64F2623FA20V很明显,当主体材料是荧光发射材料时,从主体材料三线态到掺杂磷光三线态的主要能量转移过程是Dexter型能量转移,这就要求较高的掺杂浓度。还...[全文]
                        防止掺杂物种对发光层的发光猝灭2019/4/16 21:40:11
                        HBR10200防止掺杂物种对发光层的发光猝灭掺杂材料有可能从两个?#23884;?#23545;发光产生猝灭,一是小尺度掺杂物的扩散,二是高挥发性掺杂物产生的蒸镀污染。一些尺寸...[全文]
                        D-A结材料具有双极性质2019/4/15 21:08:41
                        HCPL-2631D-A结材料具有双极性质,也就是说它们既有给体特性又有?#33460;?#29305;性,可提供激子在分子内解离的途径。该种材料的光伏器件,由于可以避免本体异?#24335;?#22120;件中的相分...[全文]
                        无机纳?#35013;?#23548;体材料具有优异光电特性2019/4/15 21:03:59
                        HCPL-2601无机纳?#35013;?#23548;体材料具有优异光电特性,如迁移率高、光导性?#26159;俊?#33021;隙可根据颗粒尺寸调节、材料吸收较强等,通常被应用于有机/无机杂化太阳能电池器件,作为电...[全文]
                        工作寿命试验是指模拟电子产品在规定环?#31243;?#20214;下2019/4/13 20:19:53
                        P3S56D40ETP-G5寿命试验是可靠性试验中最重要、最基本的内容之一。它是将样品放在特走的试验条件下,测量其失效(损耗)的数量随时间的分布情况。因为失效是按先后...[全文]
                        芳基二酰亚胺/二酸酐衍生物2019/4/12 21:04:10
                        FA7702P芳基二酰亚胺/二酸酐衍生物迄今为止,以萘或者花为核的二酰亚胺臼TCDIˉR,PTCDI-R)/二酸酐αTCDA,PTCDA)衍生物是?#33455;?#26368;...[全文]
                        该类材料是较好的p型半导体材料,广泛应用于场效应晶体管2019/4/12 20:26:47
                        FA7612噻吩齐聚物是另外一类广泛?#33455;?#30340;p型有机场效应晶体管活性材料,它们由多个含氧的五元杂环分子组成,如四噻吩、六噻吩、/`噻吩等。这些分子具有电子给体特征;且H...[全文]
                        p型有机半导体材料2019/4/11 20:58:59
                        HD74HC32RPp型有机半导体材料在p?#32479;?#25928;应晶体管中,通过栅极加载负电场使半导体的HoMo和LUMo能级向上弯曲(移动...[全文]
                        接触电阻将不再影响载流子的浓度2019/4/11 20:48:54
                        HD6417327BPZ120V在饱和?#27573;?#20869;,由于沟道内载流子浓度与漏电压无关,接触电阻将不再影响载流子的浓度,因此如果忽略接触电阻的长度d,则饱和区域的电流公?#25509;?#19981;...[全文]
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