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                        硅基霍尔板通常会有一定的磁场偏置2019/4/23 21:14:13
                        在CMOS工艺中,霍尔板通常包括一个n阱层,其使得传感器灵敏度大约为1OOⅤ/AT。在1mA的偏置电流条件下,地球磁场强度为sOuT(最大)时将获得5uⅤ的霍尔电压。精确地数字化如此小的电压信号...[全文]
                        为了保证风速传感器仅对风的水平分量灵敏2019/4/23 21:02:10
                        如图1.7所示,当一个加热的圆盘上方有气流经过时,它的冷却是非均匀的。图示结果显示关于热盘中心对称的任意两点的温度梯度εr。εΓ的大小与空气流速的二次方根成正比,同时其方向与空气流动的方向一致。...[全文]
                        玻璃的背面是用来测量玻璃表面激元共振信号的半圆柱型的高折射率2019/4/21 17:32:21
                        HJR1-2C-L-24VsPR测量装置中构成敏感元件的组分?#26469;?#20026;玻璃衬底、金薄膜、有机薄膜,其中的有机薄膜与待测物接触,而玻璃的背面是用来测量玻璃表面激元共振信号的...[全文]
                        注入电子在明极附近可产生新的陷阱或被陷阱所俘获2019/4/20 11:40:03
                        LAN8710A-EZK过去认为栅氧的TDDB主要足Na+等?#27425;?#24341;起的,经过不断努力,采用各种有效防止Na+?#27425;?#30340;措施,现已做到基本上无Nai-?#27425;郟∕OS电容经温度...[全文]
                        硅原子在S102方向上的晶格结构整齐排列的中断2019/4/20 11:27:08
                        LAN8700C起源于Si-Si0:界面的结构缺陷、氧化感生缺陷,?#32422;?#37329;属杂质和辐射等因素引起的其他缺陷。如Si-Si0。界面的硅原子处,由于硅原子在S102方向上的...[全文]
                        激活能E是引起劣化反应所需的能量2019/4/20 11:17:59
                        LAN7500I-ABZJ激活能E是引起劣化反应所需的能量,这个能量是由温度T相应的热能而得到,也可以由其他非热应力(如电应力、机械应力)转换来得到。因...[全文]
                        对电子元器件产品的失效率试验2019/4/20 10:00:19
                        L6562DTR要了解经过筛选的元器件或材料产品可靠性究竟如何,还必须从该批产?#20998;?#25277;取一定数量的样品,进行失效率鉴定试验,特别是有可靠性指标的产品...[全文]
                        对电子元器件产品的失效率试验2019/4/20 10:00:02
                        L6562DTR要了解经过筛选的元器件或材料产品可靠性究竟如何,还必须从该批产?#20998;?#25277;取一定数量的样品,进行失效率鉴定试验,特别是有可靠性指标的产品...[全文]
                        有机电?#36335;?#20809;原理、器件结构、器件表征和功能材料2019/4/15 21:18:55
                        HD63450CP10有机电?#36335;?#20809;原理、器件结构、器件表征和功能材料。电?#36335;?#20809;是在电场作用下活?#22278;?#26009;产生发光的过程,有机电?#36335;?#20809;是以有机材料为活?#22278;?#30340;EL过程,其器件...[全文]
                        基于噻?#22278;?#26009;的有机太阳能电池器件2019/4/15 21:17:06
                        HD155173ANPEL目前研究状况及展望随着有机太阳能电池理论研究的深人、器件结构的日益创新?#32422;?#26032;型活?#22278;?#26009;的不断涌现,器...[全文]
                        噻吩小分子不容易以旋涂方式?#32856;?#34180;膜2019/4/15 20:44:33
                        HA17555在材料PQTF8中(图4.25(a),由于芴酮的引入使吸收光谱展宽,从而提高了器件。材料PBSDTB飞图4,25(a))由于引人了硅原子,虽然能隙较高,...[全文]
                        电荷的输运与收集2019/4/14 17:41:08
                        B6150H1电荷的输运与收集激子在给体/?#33460;?#30340;界面完成光诱导电荷转移后,发生电荷解离,得到?#26434;?#30005;荷:电子在?#33460;?#20013;,空穴在给体中。这些载流子必须在有机层...[全文]
                        器件的电流特性类似于一个电阻2019/4/11 20:33:24
                        HA17431FPAJ在?#31995;?#30340;漏电压下(图3.9),沟道内只存在来源于栅电压的垂直电场,而在源极到漏极的方向,电场分布均匀,因此沟道内载流子由源极到漏极的分?#25216;?#20046;是均...[全文]
                        场效应晶体管中金属、绝缘层和半导体界面的能级2019/4/11 20:18:02
                        H0068ANLT在不同栅电压作用下,场效应晶体管中金属、绝缘层和半导体界面的能级,通常存在三种情形:①当栅电压为零时,因为没有电场的重新分布,在电极和活性物?#25163;?#38388;没...[全文]
                        聚乙炔作为半导体材料被引入MOsFET场效应晶体管器件中2019/4/10 21:14:31
                        D2F-01FL3基于有机聚合物l’叨和小分子【10911]的有机场效应晶体管⒆FET)出现于⒛世纪80年代。1982年,聚乙炔作为半导体材料被引入MOsFET场效应...[全文]
                        最初应用于微处理器中的场效应晶体管2019/4/10 21:11:35
                        D2A050002鉴于人们对电子产品小型化、微型化的?#20013;?#38656;求,场效应晶体管的尺寸也不断缩小。⒛世纪⒛年代最初应用于微处理器中的场效应晶体管,导电沟道长度为10um;而...[全文]
                        有机半导体和电极之间的界面有两种2019/4/8 20:11:37
                        J6820P激子与表面相互作用有机半导体和电极之间的界面有两种使移动的分子激子猝灭的过程:①电荷转移,即激子中的一个电子转移到界面处的一个邻近俘获中心,...[全文]
                        低漂移高精度集成运算放大器2019/4/7 14:21:32
                        JRC4558低漂移高精度集成运算放大器:低漂移高精度集成运算放大器是指失调电压温漂低、噪声小、增益和共模抑制比高的运算放大器。这类运放一般用在毫伏级或更低量级的微弱...[全文]
                        栅极与沟道之间的PN结反向击穿时的栅源电压2019/4/7 13:51:52
                        IRFR310BTF栅源击穿电压助Gs:栅极与沟道之间的PN结反向击穿时的栅源电压。漏源击穿电压斫:DDs:?#26500;?#36947;发生雪崩击穿...[全文]
                        对于电?#20998;?#26377;大电容的将电容短路放电2019/3/31 19:08:30
                        M29F040-90K1测量电流或电压时,如果不确定被测电流电压大小,应?#28820;?#21040;最大量程上试测,防止表针打坏。然后再拨到合适量程上测量,?#32422;?#23567;测量误...[全文]
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