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                        NTR4503NT1GON30V042WMOSFET-SOT-23优势产品原装现货

                        发布时间:2019/3/28 10:36:00 访问?#38382;?82 发布企业:鑫锐电子(香港)有限公司

                        NTR4503NT1G ON 30V 110mOhm 0.42W MOSFET - SOT-23 优势产品原装现货进口热卖


                        NTR4503NT1G产品详细规格
                        标准包装 3,000
                        FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
                        FET特点 Logic Level Gate
                        漏极至源极电压(VDSS) 30V
                        电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1.5A
                        Rds(最大)@ ID,VGS 110 mOhm @ 2.5A, 10V
                        VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250μA
                        栅极电荷(Qg)@ VGS 7nC @ 10V
                        输入电容(Ciss)@ Vds的 250pF @ 24V
                        功率 - 最大 420mW
                        安装类型 Surface Mount
                        包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
                        供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
                        包装材料 Tape & Reel (TR)
                        包装 3SOT-23
                        通道模式 Enhancement
                        最大漏源电压 30 V
                        最大连续漏极电流 2 A
                        RDS -于 [email protected] mOhm
                        最大门源电压 ±20 V
                        典型导通延迟时间 5.8|4.8 ns
                        典型上升时间 5.8|6.7 ns
                        典型关闭延迟时间 14|13.6 ns
                        典型下降时间 1.6|1.8 ns
                        工作温度 -55 to 150 °C
                        安装 Surface Mount
                        标准包装 Tape & Reel
                        最大门源电压 ±20
                        ?#35775;薘oHS指令 Compliant
                        最高工作温度 150
                        标准包装名称 SOT-23
                        最低工作温度 -55
                        渠道类型 N
                        封装 Tape and Reel
                        最大漏源电阻 [email protected]
                        最大漏源电压 30
                        每个芯片的元件数 1
                        供应商封装?#38382;?SOT-23
                        最大功率耗散 730
                        最大连续漏极电流 2
                        引脚数 3
                        铅形状 Gull-wing
                        FET特点 Logic Level Gate
                        安装类型 Surface Mount
                        电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.5A (Ta)
                        的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250μA
                        封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
                        供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
                        其他名称 NTR4503NT1GOSTR
                        开态Rds(最大)@ Id ,V GS 110 mOhm @ 2.5A, 10V
                        FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
                        功率 - 最大 420mW
                        漏极至源极电压(Vdss) 30V
                        输入电容(Ciss ) @ VDS 250pF @ 24V
                        闸电荷(Qg ) @ VGS 7nC @ 10V
                        RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
                        类别 Power MOSFET
                        外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
                        身高 1.01mm
                        长度 3.04mm
                        最大漏源电阻 140 mΩ
                        最高工作温度 +150 °C
                        最大功率耗散 0.73 W
                        最低工作温度 -55 °C
                        包装类型 SO-23
                        典型栅极电荷@ VGS 1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V
                        典型输入电容@ VDS 130 pF @ 24 V, 135 pF @ 15 V
                        宽度 1.4mm
                        工厂包装数量 3000
                        产品种类 MOSFET
                        晶体管极性 N-Channel
                        配置 Single
                        源极击穿电压 +/- 20 V
                        连续漏极电流 2.5 A
                        正向跨导 - 闵 5.3 S
                        安装风格 SMD/SMT
                        RDS(ON) 105 mOhms
                        功率耗散 0.73 W
                        上升时间 5.8 ns, 6.7 ns
                        漏源击穿电压 30 V
                        RoHS RoHS Compliant
                        下降时间 5.8 ns, 6.7 ns
                        漏极电流(最大值) 2 A
                        频率(最大) Not Required MHz
                        栅源电压(最大值) ?20 V
                        输出功率(最大) Not Required W
                        噪声系数 Not Required dB
                        漏源导通电阻 0.11 ohm
                        工作温度范围 -55C to 150C
                        极性 N
                        类型 Power MOSFET
                        元件数 1
                        工作温度分类 Military
                        漏极效率 Not Required %
                        漏源导通电压 30 V
                        功率增益 Not Required dB
                        弧度硬化 No
                        Continuous Drain Current Id :2.5A
                        Drain Source Voltage Vds :30V
                        On Resistance Rds(on) :140mohm
                        Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
                        Threshold Voltage Vgs :1.75V
                        功耗 :730mW
                        Operating Temperature Min :-55°C
                        Operating Temperature Max :150°C
                        Transistor Case Style :SOT-23
                        No. of Pins :3
                        MSL :MSL 1 - Unlimited
                        SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
                        Current Id Max :2.5mA
                        工作温度范围 :-55°C to +150°C
                        端接类型 :SMD
                        Voltage Vds Typ :30V
                        Voltage Vgs Max :1.75V
                        Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
                        Weight (kg) 0.000008
                        Tariff No. 85412900


                        鑫锐电子(香港)有限公司,18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ,一站式终端厂家配套:(质量保证 诚信经营)是公司的?#20449;擔?#20026;客户提供品牌原装半导体,电子元器件终端配?#36164;?#22330;,专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域(无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源)。


                        主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。


                        公司:鑫锐电子(香港)有限公司
                        联系人:姚小姐
                        手机:13725590222
                        电话:0755-83780666/83265111
                        传真:0755-82800889
                        QQ: 3373563833
                        地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B
                        公司网址:www.xrdz-hk.com


                        公司部分现货:
                        TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、、IRLML2502TRPBF、TP4101、IRLML6401TRPBF、TLV70433DBVR、PESD5V0S1BB、PSM712-LF-T7、NTR4171PT1G、SGM2036-3.3YUDH4G/TR 、SGM2036-1.8YUDH4G/TR、DMN2046U-7等等。


                        更多型号请来电咨询:


                        鑫锐电子(香港)是一家专业从事集成电路配套的供应商,在本行拥有多年的销售经验!备有大量现货库存,诚信为本,客户至上,为客户把产品的质量关!


                        由于公司型号众多,无法一一上传,如在网站找不到您要的产品,请联系业务?#20445;?#26412;司?#21830;?#20379;电子元器件配单服务。


                        公司:鑫锐电子(香港)有限公司
                        联系人:姚小姐
                        手机:13725590222
                        电话:0755-83780666/83265111
                        传真:0755-82800889
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                        地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B
                        公司网址:www.xrdz-hk.com


                        3月27日,IC Insights最新报告指出,美国去年在全球IC设计领域的市场占有率为68%,仅比2010年低一个百分点。中国大陆在2010年以来增长最快,?#22771;?#25317;有13%的市场占有率。


                        报告指出,自2010年以来,IC设计市场份额增长最快的是中国大陆,中国大陆供应商去年占有13%的市场份额,而2010年?#37995;?%。


                        在去年五大增长最快的IC设计公司(销售额超过2亿美元)中,除了英伟达,其他四家都是中国大陆企业,包括比特大陆、北京矽成、全志科技和海思半导体。但是,如果除去海思半导体(90%以上的销售额来自其母公司华为)和中兴通讯和大唐的内部转让时,中国IC设计公司的市场占有率就下降了约一半,仅有7%。


                        其中2018 年成长最显著的是比特大陆,销售额达到了197%增长率。这家公司在过去三年营收迅速成长,2016 年为2.78 亿美元,2017 年剧?#37995;?5 亿,估计2018 年营收将有44 亿美元。


                        有趣的是,比特大陆并不算是半导体公司,比特大陆是加密货币比特?#19994;?#25366;矿机芯片供应商,比特大陆主要营收主要是来自于晶圆代工龙头台积电。


                        IC Insights认为,自2016年以来比特大陆加密货币采矿设备销售的?#26412;?#19978;升和下降,是台积电过去两年销售波动的主要原因。


                        反观其他地区,欧洲公司在2018年仅占IC设计市场份额的2%,而2010年为4%。这一份额的减少部分是由于高通收购了英国的第二大IC设计公司CSR,英特尔?#36136;?#36141;了德国第三大IC设计公司Lantiq。这些收购使得总部位于英国的Dialog(2018年的销售额为14.4亿美元)和挪威的Nordic(2018年的销售额为2.71亿美元)成为去年欧洲仅有的两家挤入排名前50位的IC设计公司。


                        去年,韩国和日本都只有一家IC设计公司进入全球前50,日本的Megachips去年增长了19%,销售额达到7.6亿美元。韩国的Silicon Work则增长了17%,达到7.18亿美元。


                        总体而言,全球IC设计市场的销售额在2018年增加了83亿美元,比2017年增长了8%。


                        去年前50家IC设计供应商中有21?#19994;?#22686;长率达到两位数,而5家公司则遭遇了两位数的下滑。


                        IC Insights认为,大多数大型IC设计供应商将继续表现良好,并将有助于推动主要IC代工厂(例如台积电,格芯,三星,联电等)的销售额大幅增长。此外,随着门槛(即高设计成本,越来越难以获得风投资金等)的增加,以及新的IC设计公司的越来越少,IC Insights认为IC设计公司上市总量的继续增长,会导致半导体产业形成一种?#20998;?#33050;轻的趋势。

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